样品切割和抛光山西配资公司
专注于材料分析领域的科研检测机构，致力于为客户提供高质量的氩离子抛光服务。氩离子抛光CP研磨的优势，一是配温控液氮冷却台，去除热效应对样品的损伤，有助于避免抛光过程中产生的热量而导致的样品融化或者结构变化；二是配碳/铬镀膜，对于同一个样品，可在同一真空环境下完成抛光及镀膜，防止样品氧化，可以用于SEM/FIB导电镀膜样品制作。
氩离子切割制样原理
氩离子切割制样是利用氩离子束（〜1mm）来切割样品，以获得相比FIB制样（通常十几微米）面积更大的电子显微分析区域。其制样原理是用一个坚固的挡板遮挡住样品的非目标区域，有效的遮蔽了下半部分的离子束，创造出一个侧切割平面，去除样品表面的一层薄膜。
氩离子抛光技术又称CP截面抛光技术，是对样品表面进行抛光，去除损伤层，从而得到高质量样品，用于在SEM，光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。
针对不同的样品的硬度，设置不同的电压、电流、离子枪的角度、离子束窗口，控制氩离子作用的深度、强度、角度、这样较精准的参数，有利于制备成研究者理想的材料样品，这样的样品不仅表面光滑无损伤，而且还原材料内部的真实结构。
展开剩余80%氩离子抛光与切割/CP截面抛光的优点
相比较下氩离子抛光/CP截面抛光的优点
1.对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。
2.比FIB方法的抛光面积更大（~1mm以上）。
寄样要求
1. 送样前需要对样品进行预处理：样品预磨抛，样品要磨平，样品的上下表面要平行，样品抛光面至少用4000目砂纸磨平，在显微镜下看起来光滑，不粗糙。
2. 金鉴样品的尺寸要求：
块状样品：以待抛光区域为中心点，样品直径不超过30mm、厚度0~20mm。（超出部分需要磨走） 粉末样品：10g以上。案例分析
1.金属结合面
2.锂电池石墨电极截面观
3.锂电池石墨颗粒平面抛
4.线路板截面抛光
5.芯片N极截面抛光
6.支架镀层二焊点截面抛光
7.支架镀层结构截面抛
8.页岩抛光
9.样品抛光后显示出高度孪
10.抛光后的锆合金的菊池花样
11.EBSD欧拉角分布图
12.IPFZ 面分布
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